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Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,727 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • 4,29 €
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • 14,65 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • 8,47 €Stück
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • 2,96 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba Schaltdiode Serie 2 Element/Chip SMD SMini 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • 0,076 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Schaltdiode Serie 2 Element/Chip SMD SMini 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • DiodenkonfigurationSerie
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • GehäusegrößeSMini
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Toshiba 2SK 2SK3564,S5Q(J N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67
  • 1,176 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK 2SK3564,S5Q(J N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößeSC-67
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • 9,917 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • 3,346 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK10P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,26 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK10P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • 4,96 €
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode , 45V / 100mA, 3-Pin SMini
  • 0,152 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba SMD Schottky Diode , 45V / 100mA, 3-Pin SMini
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSMini
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch45V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba TK TK12J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN
  • 0,91 €Stück
Toshiba TK TK12J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK22A10N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 52 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,772 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK22A10N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 52 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.52 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK62J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-3PN
  • 9,05 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba TK TK62J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SC5949-O(Q) THT, NPN Transistor 200 V / 15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • 3,20 €Stück
Toshiba 2SC5949-O(Q) THT, NPN Transistor 200 V / 15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung200 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK TK10A80E,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 50 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 1,108 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK10A80E,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 50 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.800 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK100E10N1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220
  • 2,71 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK100E10N1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.207 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK100E10N1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220
  • 1,754 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK100E10N1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.207 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK40E10N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • 1,332 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK40E10N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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