Toshiba

Diskrete Halbleiter

Anzeige 61 - 80 von 309 Produkten
Ausgewählte Produkte vergleichen 0/8
Ansicht:
Preis
(Netto)
Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,164 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SC2713-GR(F) SMD, NPN Transistor 120 V / 100 mA 100 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung120 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,887 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,219 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SC3325-Y(F) SMD, NPN Transistor 50 V / 500 mA 300 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,752 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 52 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.52 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,108 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 50 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.800 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,05 €Stück
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.207 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,754 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.207 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,63 €Stück
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.20 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.45 W
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 3,495 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30,8 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieDTMOSIV
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,693 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,046 €
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 10)
Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeUSM
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,193 €
    Stück (In einer VPE à 8)
Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,046 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SSM3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 100 mW, 3-Pin SSM
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSSM
  • SerieSSM3
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 8,415 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 5,153 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,77 €Stück
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,926 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,024 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN2102(TE85L,F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,147 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Isoliert, 85V / 100mA, 4-Pin SC-61
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSC-61
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationIsoliert
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 0,138 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.22 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieU-MOSVIII-H
  • GehäusegrößeTSON
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Ihre letzten Suchbegriffe
Häufig gestellte Fragen
Benötigen Sie Hilfe?
Kontaktieren Sie uns unter
069/5800 14 234
kunden.service@rs.rsgroup.com