Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba TPH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert
  • 0,847 €
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba TPH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.59 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTPH
  • GehäusegrößeSOP erweitert
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-220
  • 1,228 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.15,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieDTMOSIV
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba ESD-Schutzdiode Gemeinsame Anode, 3-Pin, SMD USM
  • 0,168 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba ESD-Schutzdiode Gemeinsame Anode, 3-Pin, SMD USM
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSM
  • Pinanzahl3
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,672 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 12V / 50mA, 3-Pin SC-59
  • 0,07 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 12V / 50mA, 3-Pin SC-59
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSC-59
  • Dauer-Durchlassstrom max.50mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch12V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 3,01 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 1,253 €
    Stück (In einer VPE à 6)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.46 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 4,52 €Stück
Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.40 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 2,81 €
    Stück (In einer VPE à 4)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 100 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SA1162-Y(F) SMD, PNP Transistor –50 V / –150 mA 80 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • 0,109 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SA1162-Y(F) SMD, PNP Transistor –50 V / –150 mA 80 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–150 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–50 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • 0,544 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,766 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 46 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.46 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin SC-67
  • 1,546 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin SC-67
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.800 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößeSC-67
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TPH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert
  • 1,25 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TPH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.59 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTPH
  • GehäusegrößeSOP erweitert
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • 4,275 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,7 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 1,07 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,7 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieDTMOSIV
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode , 45V / 300mA, 3-Pin SOT-323 (SC-70)
  • 0,058 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SMD Schottky Diode , 45V / 300mA, 3-Pin SOT-323 (SC-70)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-323 (SC-70)
  • Dauer-Durchlassstrom max.300mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch45V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 67 W, 3-Pin TO-220
  • 1,038 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 67 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 67 W, 3-Pin TO-220
  • 0,625 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 67 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TPH3R704PC N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 82 A, 8-Pin SOP
  • 0,301 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba TPH3R704PC N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 82 A, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.82 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieTPH3R704PC
  • GehäusegrößeSOP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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