Toshiba

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Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba TK090A65Z N-Kanal MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220SIS
  • 4,535 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK090A65Z N-Kanal MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieTK090A65Z
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode , 45V / 100mA, 3-Pin SMini
  • 0,244 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba SMD Schottky Diode , 45V / 100mA, 3-Pin SMini
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSMini
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch45V
  • DiodenkonfigurationSerie
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 mA, 3-Pin SOT-23
  • 0,034 €
    Stück (In einer VPE à 250)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 mA, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Schaltdiode, 30V / 5A, 2-Pin USCs
  • 0,068 €
    Stück (In einer VPE à 200)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba SMD Schottky Schaltdiode, 30V / 5A, 2-Pin USCs
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSCs
  • Dauer-Durchlassstrom max.5A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • Gleichrichter-TypSchottky-Diode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
  • 0,045 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220
  • 3,01 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 225 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.72 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba N-Kanal JFET-Transistor 2SK2145-BL(TE85L,F), SMV 5-Pin
  • 0,197 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba N-Kanal JFET-Transistor 2SK2145-BL(TE85L,F), SMV 5-Pin
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom14mA
  • Gate-Source Spannung max.–50 V
  • GehäusegrößeSMV
  • Pinanzahl5
Vergleichbare Produkte in "JFET"
Toshiba SMD Schottky Schaltdiode, 30V / 5A, 2-Pin USCs
  • 0,064 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SMD Schottky Schaltdiode, 30V / 5A, 2-Pin USCs
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSCs
  • Dauer-Durchlassstrom max.5A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • Gleichrichter-TypSchottky-Diode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 mW, 6-Pin UF6
  • 0,104 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 mW, 6-Pin UF6
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4,2 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeUF6
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23
  • 0,173 €
    Stück (In einer VPE à 50)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK090Z65Z N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
  • 5,12 €Stück
Toshiba TK090Z65Z N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieTK090Z65Z
  • GehäusegrößeTO-247-4
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba RN1106(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin
  • 0,134 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN1106(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba SSM3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.1 A 200 mW, 3-Pin SMini
  • 0,079 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SSM3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.1 A 200 mW, 3-Pin SMini
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.0.1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSMini
  • SerieSSM3
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 1,148 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.15 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieU-MOSVIII-H
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,343 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 29 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.15 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode , 30V / 1A, 2-Pin S-FLAT
  • 0,233 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba SMD Schottky Diode , 30V / 1A, 2-Pin S-FLAT
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeS-FLAT
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11,1 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 1,228 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11,1 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 168 A, 8-Pin SOP
  • 0,656 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 168 A, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.168 A
  • Drain-Source-Spannung max.75 V
  • GehäusegrößeSOP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-3PN
  • 3,66 €Stück
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.39 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON
  • 0,334 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeTSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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