Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,32 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SA2060(F) SMD, PNP Transistor –50 V / –2 A, PW Mini 4-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–2 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–50 V
  • GehäusegrößePW Mini
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,022 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba TBC847B,LM(T SMD, NPN Transistor 50 V / 200 mA, SOT-23 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.200 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,105 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SSM3J356R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,024 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN2105(TE85L,F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 1,85 €
    Stück (In einer VPE à 4)
Toshiba TK TK56A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.56 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,102 €
    Stück (In einer VPE à 100)
Toshiba SMD Schottky Schaltdiode, 30V / 5A, 2-Pin USCs
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSCs
  • Dauer-Durchlassstrom max.5A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • Gleichrichter-TypSchottky-Diode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 2,446 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TPH1R306PL TPH1R306PL,L1Q(M N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTPH1R306PL
  • GehäusegrößeSOP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,126 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba ESD-Schutzdiode Gemeinsame Anode, 3-Pin, SMD USM
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSM
  • Pinanzahl3
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 2,237 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK16A60W5,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 40 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.15,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,024 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SMini 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • GehäusegrößeSMini
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • 1,58 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK16A60W,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 40 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.15,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,448 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba TK65S04N1L N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 65 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.65 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,202 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TTC3710B,S4X(S THT, NPN Transistor 80 V / 12 A 80 MHz, TO-220SIS 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.12 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung80 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,812 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SA1244-Y(T6L1,NQ) SMD, PNP Transistor –50 V / –5 A, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–5 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–50 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 5,18 €Stück
Toshiba TK TK39N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 270 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.39 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,648 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Toshiba TK31V60W5 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 30,8 A 240 W, 5-Pin DFN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeDFN
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,338 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK20E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,08 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN1107(TE85L,F) SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,406 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TPC TPC8227-H,LQ(S N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 5,1 A 1,5 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeSOP
  • SerieTPC
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,101 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SSM3K335R,LF(B N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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