Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,404 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Toshiba TK5A50D,S5Q(J N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 5 A 35 W bei 25 °C, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.500 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,176 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK11A65W,S5X(M N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11,1 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,1 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,705 €
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba TPH3R704PL N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 92 A 81 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.92 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeSOP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,665 €
    Stück (Auf einer Rolle von 5000)
Toshiba TPN3R704PL N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 92 A 86 W, 8-Pin TSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.92 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeTSON
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,738 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK58A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 58 A 35 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.58 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,402 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba U-MOSVIII-H TK15S04N1L,LQ(O N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 15 A 46 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.15 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieU-MOSVIII-H
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 8,888 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba TK090Z65Z TK090Z65Z,S1F(O N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247-4
  • SerieTK090Z65Z
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,034 €
    Stück (In einer VPE à 200)
Toshiba SMD Schottky Schaltdiode, 30V / 1A, 2-Pin USCs
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSCs
  • Dauer-Durchlassstrom max.1A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • Gleichrichter-TypSchottky-Diode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 0,307 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba TK8S06K3L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8 A 25 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,043 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SMD Schottky Schaltdiode, 30V / 5A, 2-Pin USCs
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSCs
  • Dauer-Durchlassstrom max.5A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • Gleichrichter-TypSchottky-Diode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 0,071 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Toshiba SMD Schottky Diode, 30V / 1.5A, 2-Pin S-FLAT
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeS-FLAT
  • Dauer-Durchlassstrom max.1.5A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 0,236 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba DTMOSIV TK7P65W,RQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,8 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieDTMOSIV
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,948 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK40E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 67 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,269 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SSM6K403TU N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4,2 A 500 mW, 6-Pin UF6
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.4,2 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeUF6
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 5,13 €Stück
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 0,151 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba SSM3J356R,LF(T P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,552 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba N-Kanal JFET-Transistor 2SK2145-BL(TE85L,F), SMV 5-Pin
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom14mA
  • Gate-Source Spannung max.–50 V
  • GehäusegrößeSMV
  • Pinanzahl5
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • 0,867 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba TK60S06K3L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 88 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,363 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Toshiba TPC TPC8125 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 1,9 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOP
  • SerieTPC
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,024 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN2104(F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
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