Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 2,498 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK17A65W,S5X(M N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.17 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,044 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN2103(F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,059 €
    Stück (In einer VPE à 100)
Toshiba SSM3K37MFV N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 250 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.250 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-723
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,614 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba TK100S04N1L N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 180 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,03 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba DTMOSIV TK10A60W,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9,7 A 30 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieDTMOSIV
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,101 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SSM3 SSM3K15F(F) N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 0.1 A 200 mW, 3-Pin SMini
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.0.1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieSSM3
  • GehäusegrößeSMini
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,151 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba SSM3K329R,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,5 A, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,19 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TPHR8504PL N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 340 A 170 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.340 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • GehäusegrößeSOP
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,13 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Toshiba U-MOSVIII-H TPH8R903NL,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 38 A 24 W, 8-Pin SOP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.38 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieU-MOSVIII-H
  • GehäusegrößeSOP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,03 €
    Stück (In einer VPE à 250)
Toshiba T2N7002AK,LM(T N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 mA, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.200 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,149 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK72A08N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.72 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,052 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba Schaltdiode Gemeinsame Anode 300mA 2 Element/Chip SMD 80V SOT-346 (SC-59) 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • Durchlassstrom max.300mA
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • Montage-TypSMD
  • Sperrspannung max.80V
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
  • 0,101 €
    Stück (In einer VPE à 100)
Toshiba SSM3K15AFS,LF(T N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 mA 100 mW, 3-Pin SC-75
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 mA
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSC-75
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 5,059 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Toshiba TK090N65Z TK090N65Z,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • SerieTK090N65Z
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,298 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK60S06K3L N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 88 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,504 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba TK TK5P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 5,4 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5,4 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,117 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SMD Schottky Diode , 45V / 100mA, 2-Pin SOD-323
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-323
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch45V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 0,101 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Toshiba SSM3K333R N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,136 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK32E12N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.120 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,071 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SMD Gleichrichter Diode , 250V / 300mA, 3-Pin SOT-323 (SC-70)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-323 (SC-70)
  • Dauer-Durchlassstrom max.300mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch250V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
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