NXP

Diskrete Halbleiter

Anzeige 1 - 20 von 41 Produkten
Ausgewählte Produkte vergleichen 0/8
Ansicht:
Preis
(Netto)
Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,077 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NXP pin-Diode für Dämpfungsglieder & Schalter Einfach 100mA 175V UMD 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • AnwendungDämpfungsglied, Switch
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Durchlassstrom max.100mA
  • Sperrspannung max.175V
Vergleichbare Produkte in "pin-Dioden"
  • 0,166 €
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP BF904,215 N-Kanal, SMD MOSFET 7 V / 30 mA 200 mW, 4-Pin SOT
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 mA
  • Drain-Source-Spannung max.7 V
  • GehäusegrößeSOT
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,261 €
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP pin-Diode für Dämpfungsglieder & Schalter Einfach 100mA 175V UMD 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • AnwendungDämpfungsglied, Switch
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Durchlassstrom max.100mA
  • Sperrspannung max.175V
Vergleichbare Produkte in "pin-Dioden"
  • 0,131 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NXP Einfach Varactor für VCO 1 Elem./Chip, 6.4pF 6V Abstimmverhältnis 2 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • AnwendungVCO
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Diodenkapazität min.6.4pF
  • Sperrspannung max.6V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • 0,383 €
    Stück (In einer VPE à 20)
NXP Einfach Varactor für VCO 1 Elem./Chip, 6.4pF 6V Abstimmverhältnis 2 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • AnwendungVCO
  • Diodenkapazität min.6.4pF
  • Sperrspannung max.6V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • 0,07 €
    Stück (In einer VPE à 200)
NXP PDTC114EE,115 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V, SOT-416 (SC-75) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOT-416 (SC-75)
  • Montage-TypSMD
  • Verlustleistung max.150 mW
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,294 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NXP Gemeinsame Kathode Varactor für Tuner 2 Elem./Chip, 76pF 15V Abstimmverhältnis 2.6 3-Pin
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • AnwendungTuner
  • Diodenkapazität min.76pF
  • Sperrspannung max.15V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • 0,089 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NXP pin-Diode Einfach 50mA 60V SOD-523 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Durchlassstrom max.50mA
  • Sperrspannung max.60V
  • Durchlassspannung max.1.1V
Vergleichbare Produkte in "pin-Dioden"
  • 0,374 €
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP Gemeinsame Kathode Varactor für Tuner 2 Elem./Chip, 76pF 15V Abstimmverhältnis 2.6 3-Pin
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • AnwendungTuner
  • Diodenkapazität min.76pF
  • Sperrspannung max.15V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • 0,64 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2)
NXP BLT81,115 SMD, NPN Transistor 9,5 V / 500 mA 900 MHz, SOT-223 3 + Tab-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung9,5 V
  • GehäusegrößeSOT-223
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,148 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NXP Einfach Varactor für Tuner 1 Elem./Chip, 26pF 30V Abstimmverhältnis 5 3-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • AnwendungTuner
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Diodenkapazität min.26pF
  • Sperrspannung max.30V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • 0,358 €
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP Einfach Varactor für Tuner 1 Elem./Chip, 26pF 30V Abstimmverhältnis 5 3-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • AnwendungTuner
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Diodenkapazität min.26pF
  • Sperrspannung max.30V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • 0,289 €
    Stück (In einer VPE à 20)
NXP pin-Diode für Dämpfungsglieder & Schalter Einfach 100mA 175V SOD-523 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • AnwendungDämpfungsglied, Switch
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Durchlassstrom max.100mA
  • Sperrspannung max.175V
Vergleichbare Produkte in "pin-Dioden"
  • 0,081 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NXP BFU725F/N1 SMD, NPN Transistor 2,8 V / 40 mA 12 GHz, SOT-343F 4-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.40 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung2,8 V
  • GehäusegrößeSOT-343F
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,083 €
    Stück (In einer VPE à 30)
NXP BFU725F/N1 SMD, NPN Transistor 2,8 V / 40 mA 12 GHz, SOT-343F 4-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.40 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung2,8 V
  • GehäusegrößeSOT-343F
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,651 €
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP Einfach Varactor für Tuner, VCO 1 Elem./Chip, 28.2pF 6V Abstimmverhältnis 2.5 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • AnwendungTuner, VCO
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Diodenkapazität min.28.2pF
  • Sperrspannung max.6V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • 0,347 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
NXP Einfach Varactor für Tuner, VCO 1 Elem./Chip, 28.2pF 6V Abstimmverhältnis 2.5 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • AnwendungTuner, VCO
  • Diodenkapazität min.28.2pF
  • Sperrspannung max.6V
Vergleichbare Produkte in "Kapazitätsdioden Varactor"
  • 0,033 €
    Stück (In einer VPE à 20)
NXP pin-Diode Einfach 50mA 50V SOD-523 2-Pin
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Durchlassstrom max.50mA
  • Sperrspannung max.50V
  • Ladungsträgerlebensdauer1.05µs
Vergleichbare Produkte in "pin-Dioden"
  • 0,319 €
    Stück (In einer VPE à 10)
NXP N-Kanal JFET BF861C,215, 25 V Single, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin Einfach
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom12 to 25mA
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • Gate-Source Spannung max.+25 V
  • Drain-Gate-Spannung max.25V
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • 0,24 €
    Stück (In einer VPE à 5)
NXP BF1107,215 N-Kanal, SMD MOSFET 3 V / 10 mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 mA
  • Drain-Source-Spannung max.3 V
  • GehäusegrößeSOT-23 (TO-236AB)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Ihre letzten Suchbegriffe
Häufig gestellte Fragen
Benötigen Sie Hilfe?
Kontaktieren Sie uns unter
069/5800 14 234
kunden.service@rs.rsgroup.com