Renesas Electronics

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,50 €Stück
Renesas Electronics NPN Darlington-Transistor 80 V 4 A HFE:750, SOT-32 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.4 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung80 V
  • Basis-Emitter Spannung max.5 V
  • GehäusegrößeSOT-32
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • 0,40 €Stück
  • 11,767 €
    Stück (In einer Stange von 48)
Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 mA 8000 MHz, SOIC 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.65 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung8 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 13,35 €Stück
Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 mA 8000 MHz, SOIC 16-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.65 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung8 V
  • GehäusegrößeSOIC
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 1,483 €
    Stück (In einer VPE à 4)
Renesas Electronics TRIAC 5A MP 3A SMD Gate Trigger 1.5V 30mA, 600V, 600V 3+Tab-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich5A
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeMP 3A
  • Gate-Triggerstrom max.30mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch600V
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
  • 0,571 €
    Stück (In einer Stange von 5000)
Renesas Electronics RJK03M5DNS-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 25 A
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.25 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,122 €
    Stück (In einer Stange von 800)
Renesas Electronics NP100P04PDG-E1-AY P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,038 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Renesas Electronics ESD-Schutzdiode Einfach, 2-Pin, SMD Super MiniMold
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSuper MiniMold
  • Pinanzahl2
  • Betriebstemperatur min.-55 °C
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 2,122 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics RJK0656DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 40 A, 4-Pin LFPAK, SOT-669
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.40 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeLFPAK, SOT-669
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,92 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Renesas Electronics NP100P04PDG-E1-AY P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,122 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics RJK1056DPB-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 25 A
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.25 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,864 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Renesas Electronics NP60N06VDK-E1-AY N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A MP-3ZK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.60 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeMP-3ZK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,356 €
    Stück (In einer Stange von 1000)
Renesas Electronics N0602N-S19-AY N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A AN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeAN
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,784 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics RJK03M5DNS-00#J5 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 25 A
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.25 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,671 €
    Stück (In einer Stange von 60)
Renesas Electronics ISL6144IRZA N-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A QFN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.8 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeQFN
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,018 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics NP36P06KDG-E1-AY P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 36 A MP-25ZP (TO-263)
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.36 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeMP-25ZP (TO-263)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,71 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics NP82N055PUG-E2-AZ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.82 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,174 €
    Stück (In einer Stange von 800)
Renesas Electronics NP36P06KDG-E1-AY P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 36 A MP-25ZP (TO-263)
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.36 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeMP-25ZP (TO-263)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 9,95 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Renesas Electronics TRIAC 20A TO-3PFM THT Gate Trigger 3V, 1500V, 1500V 3-Pin
  • On-State Strom durchschnittlich20A
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößeTO-3PFM
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch1500V
  • Pinanzahl3
Vergleichbare Produkte in "TRIAC Thyristortrioden"
  • 1,476 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Renesas Electronics BEAM RJK0391DPA-00#J5A N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A, 8-Pin WPAK
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeWPAK
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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