Texas Instruments Diskrete Halbleiter| RS

Texas Instruments

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,123 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 100V 11V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Direction TypUni-Directional
  • Klemmenspannung max.100V
  • Durchschlagspannung min.11V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 3,713 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 349 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.349 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,825 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 134 A 3,1 W, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.134 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,116 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode, 6-Pin, SMD SOT-23
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Pinanzahl6
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 1,358 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 134 A 3,1 W, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.134 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,69 €
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments TVS-Diode Gemeinsame Anode, 6-Pin, SMD SOT-23
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Pinanzahl6
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,507 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,105 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 259 A 375 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.259 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,184 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Bi-Directional Quad 8.8V 5.5V min., 10-Pin, SMD 3.6V max USON
  • DiodenkonfigurationQuad
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.8.8V
  • Durchschlagspannung min.5.5V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,404 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößePDIP
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • 0,135 €
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments FemtoFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A 500 mW, 3-Pin PICOSTAR
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößePICOSTAR
  • SerieFemtoFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,79 €
    Stück (Auf einer Rolle von 250)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSON
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,474 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA, PDIP 16-Pin Single & Common Emitter
  • Transistor-TypNPN
  • Dauer-Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößePDIP
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
  • 0,081 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 15V 6.5V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Klemmenspannung max.15V
  • Durchschlagspannung min.6.5V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,178 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Bi-Directional Quad 8.8V 5.5V min., 10-Pin, SMD 3.6V max USON
  • DiodenkonfigurationQuad
  • Direction TypBi-Directional
  • Klemmenspannung max.8.8V
  • Durchschlagspannung min.5.5V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 0,085 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Texas Instruments ESD-Schutzarray Uni-Directional Array komplex 15V 6.5V min., 6-Pin, SMD 5.5V max SOT-23
  • Direction TypUni-Directional
  • DiodenkonfigurationArray komplex
  • Klemmenspannung max.15V
  • Durchschlagspannung min.6.5V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 1,136 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 100 A 3,2 W, 8-Pin VSONP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieNexFET
  • GehäusegrößeVSONP
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,213 €
    Stück (Auf einer Rolle von 4000)
Texas Instruments ESD-Schutzdiode Gemeinsame Anode
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Anzahl der Elemente pro Chip4
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
  • 3,028 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 259 A 375 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.259 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,711 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2500)
Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 100 A 3,1 W, 8-Pin VSON-CLIP
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 A
  • Drain-Source-Spannung max.25 V
  • GehäusegrößeVSON-CLIP
  • SerieNexFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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