Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 1,769 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.20 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.45 W
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 3,05 €Stück
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.207 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,143 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 1,148 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20000 mW, 3-Pin PW Form
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößePW Form
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,164 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SC2713-GR(F) SMD, NPN Transistor 120 V / 100 mA 100 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung120 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 3,61 €Stück
Toshiba 2SC5949-O(Q) THT, NPN Transistor 200 V / 15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung200 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,887 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 5,87 €Stück
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 1,228 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba DTMOSIV N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.15,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieDTMOSIV
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,926 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,252 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 12V / 50mA, 3-Pin SC-59
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSC-59
  • Dauer-Durchlassstrom max.50mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch12V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 0,122 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SSM3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 100 mA 100 mW, 3-Pin SSM
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.100 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSSM
  • SerieSSM3
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,109 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SA1162-Y(F) SMD, PNP Transistor –50 V / –150 mA 80 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–150 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–50 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 1,193 €
    Stück (In einer VPE à 8)
Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,148 €
    Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 10)
Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.50 mA
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeUSM
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 8,415 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,25 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TPH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.59 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeSOP erweitert
  • SerieTPH
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,544 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,275 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,134 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN2102(TE85L,F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
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