Toshiba

Diskrete Halbleiter

Kategorie

Anzeige 61 - 80 von 324 Produkten
Ausgewählte Produkte vergleichen 0/8
Ansicht:
Preis
(Netto)
Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba 2SC3325-Y(F) SMD, NPN Transistor 50 V / 500 mA 300 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • 0,20 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SC3325-Y(F) SMD, NPN Transistor 50 V / 500 mA 300 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK TK62J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-3PN
  • 13,39 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK62J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • 1,769 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.20 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.45 W
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba SSM3 SSM3J117TU(TE85L) P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM
  • 0,403 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SSM3 SSM3J117TU(TE85L) P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeUFM
  • SerieSSM3
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SK 2SK3669(Q) N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20000 mW, 3-Pin PW Form
  • 0,378 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK 2SK3669(Q) N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20000 mW, 3-Pin PW Form
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößePW Form
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Kathode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • 0,077 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Kathode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Dauer-Durchlassstrom max.300mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • 2,25 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.20 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.45 W
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 4,143 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 5,03 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba TK TK40E10N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • 0,887 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK40E10N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SC2713-GR(F) SMD, NPN Transistor 120 V / 100 mA 100 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • 0,16 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SC2713-GR(F) SMD, NPN Transistor 120 V / 100 mA 100 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung120 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK TK30E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • 0,544 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK30E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK31A60W,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 3,09 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK TK31A60W,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba U-MOSVIII-H TPN30008NH,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON
  • 0,142 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Toshiba U-MOSVIII-H TPN30008NH,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.22 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTSON
  • SerieU-MOSVIII-H
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 4,06 €Stück
Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.40 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba TK TK7P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 1,193 €
    Stück (In einer VPE à 8)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK7P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba ESD-Schutzdiode Gemeinsame Anode, 3-Pin, SMD USM
  • 0,129 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba ESD-Schutzdiode Gemeinsame Anode, 3-Pin, SMD USM
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSM
  • Pinanzahl3
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Toshiba RN2102(TE85L,F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin
  • 0,022 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN2102(TE85L,F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK TK31J60W5,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-3PN
  • 2,83 €Stück
Toshiba TK TK31J60W5,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba DTMOSIV TK31E60X,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30,8 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • 3,495 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba DTMOSIV TK31E60X,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 30,8 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30,8 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieDTMOSIV
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Ihre letzten Suchbegriffe
Häufig gestellte Fragen
Benötigen Sie Hilfe?
Kontaktieren Sie uns unter
069/5800 14 234
kunden.service@rs.rsgroup.com
Services
Über RS
Unsere Highlights
Rufen Sie uns an
069/5800 14 234
© RS Components GmbH
Mainzer Landstraße 180, 60327 Frankfurt am Main
Payment options