Infineon

Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 2,668 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Infineon HEXFET IRLB3034PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.343 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieHEXFET
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,81 €
    Stück (Auf einer Rolle von 1000)
Infineon Power Switch IC Hohe Geschwindigkeit 0.07Ω 40 V max. 2 Ausg.
  • Netzschalter-TypHohe Geschwindigkeit
  • Einschaltwiderstand0.07Ω
  • Arbeitsspannnung max.40 V
  • Anzahl der Ausgänge2
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
  • 3,446 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Infineon Power Switch IC Hohe Geschwindigkeit 0.07Ω 40 V max. 2 Ausg.
  • Netzschalter-TypHohe Geschwindigkeit
  • Einschaltwiderstand0.07Ω
  • Arbeitsspannnung max.40 V
  • Anzahl der Ausgänge2
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
  • 3,085 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Infineon HEXFET IRLB3034PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 343 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.343 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • SerieHEXFET
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,551 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Infineon HEXFET IRF520NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieHEXFET
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,794 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Infineon HEXFET IRF540NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.33 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieHEXFET
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,17 €Stück
Infineon IGBT / 23 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.23 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 0,858 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Infineon HEXFET IRF540NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 33 A 130 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.33 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • SerieHEXFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,68 €Stück
Infineon HEXFET IRF520NPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 9,7 A 48 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • SerieHEXFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,844 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Infineon IGBT / 23 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-220AB N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.23 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 1,31 €Stück
Infineon HEXFET IRF3205PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.110 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • SerieHEXFET
  • GehäusegrößeTO-220AB
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,087 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Infineon HEXFET IRF3205PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.110 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • SerieHEXFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,653 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Infineon SIPMOS BSP171PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.1,9 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-223
  • SerieSIPMOS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,35 €
    Stück (Auf einer Rolle von 1000)
Infineon SIPMOS BSP171PH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET Transistor 60 V / 1,9 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.1,9 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieSIPMOS
  • GehäusegrößeSOT-223
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 7,89 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Infineon OptiMOS 3 IPT020N10N3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieOptiMOS 3
  • GehäusegrößeHSOF-8
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,269 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Infineon OptiMOS 3 IPT020N10N3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF-8
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößeHSOF-8
  • SerieOptiMOS 3
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,346 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Infineon HEXFET IRLML6344TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • SerieHEXFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,11 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Infineon HEXFET IRLML6344TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieHEXFET
  • GehäusegrößeSOT-23
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,107 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Infineon HEXFET IRLML6401TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.4,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • SerieHEXFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,408 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Infineon HEXFET IRLML6401TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.4,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.12 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • SerieHEXFET
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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