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Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
HEXFET IRLIZ44NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 45 W, TO-220FP 3-Pin
  • 1,075 €
    Stück (In einer Stange von 50)
HEXFET IRLIZ44NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 45 W, TO-220FP 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220FP
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
HEXFET IRLIZ44NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 45 W, TO-220 3-Pin
  • 1,26 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
HEXFET IRLIZ44NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 45 W, TO-220 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal MOSFET, 60 V / 170 mA, 360 mW, SOT-23 3-Pin
  • 0,16 €
    Stück (In einer VPE à 250)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal MOSFET, 60 V / 170 mA, 360 mW, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.170 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • 1,209 €
    Stück (In einer VPE à 20)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • 0,591 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 42 A, 110 W, DPAK (TO-252) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
HEXFET IRLML6402TRPBF P-Kanal MOSFET, 20 V / 3,7 A, 1,3 W, SOT-23 3-Pin
  • 0,121 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
HEXFET IRLML6402TRPBF P-Kanal MOSFET, 20 V / 3,7 A, 1,3 W, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.3,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
HEXFET IRLML6402TRPBF P-Kanal MOSFET, 20 V / 3,7 A, 1,3 W, SOT-23 3-Pin
  • 0,42 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
HEXFET IRLML6402TRPBF P-Kanal MOSFET, 20 V / 3,7 A, 1,3 W, SOT-23 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.3,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
  • 1,121 €
    Stück (In einer Stange von 50)
HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
  • 1,31 €Stück
HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal MOSFET, 55 V / 30 A, 68 W, TO-220AB 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Infineon N-Kanal IGBT IHW40N60RFFKSA1, 600 V 80 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • 4,139 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Infineon N-Kanal IGBT IHW40N60RFFKSA1, 600 V 80 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.80 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.305 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Infineon N-Kanal IGBT IHW40N60RFFKSA1, 600 V 80 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • 4,595 €
    Stück (In einer VPE à 4)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Infineon N-Kanal IGBT IHW40N60RFFKSA1, 600 V 80 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.80 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.305 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Infineon Transistor SMD PNP 45 V 100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin Einfach
  • 0,185 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Infineon Transistor SMD PNP 45 V 100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Infineon Transistor SMD PNP 45 V 100 mA, SOT-23 3-Pin Einfach
  • 0,034 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Infineon Transistor SMD PNP 45 V 100 mA, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Infineon Transistor SMD NPN 45 V 100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin Einfach
  • 0,168 €
    Stück (In einer VPE à 50)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Infineon Transistor SMD NPN 45 V 100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin
  • 4,042 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeHSOF
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin
  • 6,645 €
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal MOSFET, 60 V / 300 A, 375 W, HSOF 8-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeHSOF
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal MOSFET, 600 V / 120 mA, 1,8 W, SOT-223 3 + Tab-Pin
  • 2,04 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal MOSFET, 600 V / 120 mA, 1,8 W, SOT-223 3 + Tab-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.120 mA
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeSOT-223
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal MOSFET, 600 V / 120 mA, 1,8 W, SOT-223 3 + Tab-Pin
  • 0,674 €
    Stück (Auf einer Rolle von 1000)
SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal MOSFET, 600 V / 120 mA, 1,8 W, SOT-223 3 + Tab-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.120 mA
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeSOT-223
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
CoolMOS C3 SPW47N60C3FKSA1 N-Kanal MOSFET, 650 V / 47 A, 415 W, TO-247 3-Pin
  • 15,62 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
CoolMOS C3 SPW47N60C3FKSA1 N-Kanal MOSFET, 650 V / 47 A, 415 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.47 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
CoolMOS C3 SPW47N60C3FKSA1 N-Kanal MOSFET, 650 V / 47 A, 415 W, TO-247 3-Pin
  • 13,773 €
    Stück (In einer Stange von 30)
CoolMOS C3 SPW47N60C3FKSA1 N-Kanal MOSFET, 650 V / 47 A, 415 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.47 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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