Infineon

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 0,225 €
    Stück (In einer VPE à 250)
Infineon SIPMOS BSS84PH6327XTSA2 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.170 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,584 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Infineon HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,911 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Infineon HEXFET IRLR2905TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.42 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,582 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Infineon HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,72 €Stück
Infineon HEXFET IRLZ34NPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 30 A 68 W, 3-Pin TO-220AB
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.55 V
  • GehäusegrößeTO-220AB
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 5,335 €
    Stück (In einer VPE à 4)
Infineon N-Kanal IGBT IHW40N60RFFKSA1, 600 V 80 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.80 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.305 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 4,576 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Infineon N-Kanal IGBT IHW40N60RFFKSA1, 600 V 80 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.80 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.305 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 0,197 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Infineon Transistor SMD NPN 45 V 100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,286 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Infineon Transistor SMD PNP 45 V 100 mA 250 MHz, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,057 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Infineon Transistor SMD PNP 45 V 100 mA, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-45 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 9,27 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeHSOF
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 6,488 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Infineon OptiMOS 5 IPT007N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 A 375 W, 8-Pin HSOF
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeHSOF
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,46 €Stück
Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3 + Tab-Pin SOT-223
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.120 mA
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeSOT-223
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,463 €
    Stück (Auf einer Rolle von 1000)
Infineon SIPMOS BSP135H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA 1,8 W, 3 + Tab-Pin SOT-223
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.120 mA
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeSOT-223
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 20,062 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Infineon CoolMOS C3 SPW47N60C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 47 A 415 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.47 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 21,80 €Stück
Infineon CoolMOS C3 SPW47N60C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 47 A 415 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.47 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,034 €
    Stück (Auf einer Rolle von 3000)
Infineon Digitaler Transistor SMD NPN 50 V 100 mA, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,178 €
    Stück (In einer VPE à 100)
Infineon OptiMOS 2N7002H6327XTSA2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.300 mA
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,461 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Infineon HEXFET IRLML6244TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.6,3 A
  • Drain-Source-Spannung max.20 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,188 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Infineon Digitaler Transistor SMD NPN 50 V 100 mA, SOT-23 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-50 V
  • GehäusegrößeSOT-23
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
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