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Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba Logikgatter, 1-Elem., NAND, HC, 2.6mA, 5-Pin, SSOP, 2
  • 0,082 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Logikgatter, 1-Elem., NAND, HC, 2.6mA, 5-Pin, SSOP, 2
  • LogikfunktionNAND
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente1
  • Eingänge pro Gatter2
  • Schmitt-Trigger-EingangNein
Vergleichbare Produkte in "Logikgatter"
Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
  • 0,665 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.55 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SK 2SK4017(Q) N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2
  • 0,303 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Toshiba 2SK 2SK4017(Q) N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößePW Form2
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • 2,22 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba Inverter Schmitt-Trigger Triple 125 ns @ 2 V, 21 ns @ 6 V, 25 ns @ 4.5 V, SSOP
  • 0,196 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Inverter Schmitt-Trigger Triple 125 ns @ 2 V, 21 ns @ 6 V, 25 ns @ 4.5 V, SSOP
  • LogikfunktionInverter
  • Eingangs-TypSchmitt-Trigger
  • Anzahl der Elemente pro Chip3
  • Schmitt-Trigger-EingangJa
  • Signalverzögerungszeit @ max. CL21 ns @ 6 V, 25 ns @ 4.5 V, 125 ns @ 2 V
Vergleichbare Produkte in "Inverter"
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,484 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,437 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba N-Kanal JFET 2SK208-R(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin Einfach
  • 0,13 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba N-Kanal JFET 2SK208-R(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin Einfach
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom0.3 to 0.75mA
  • Drain-Source-Spannung max.10 V
  • Gate-Source Spannung max.-30 V
  • Drain-Gate-Spannung max.-50V
Vergleichbare Produkte in "JFET"
Toshiba TA78L15F(F) Positiv Fest Spannungsregler 0.5W, 15 V / 150mA, HSOP 4-Pin
  • 0,318 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba TA78L15F(F) Positiv Fest Spannungsregler 0.5W, 15 V / 150mA, HSOP 4-Pin
  • ReglertypLinearregler
  • Ausgangsstrom max.150mA
  • Ausgangsspannung15 V
  • Anzahl der Ausgänge1
  • Line-Regulation300 mV
Vergleichbare Produkte in "Spannungsregler"
Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 3,60 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.30 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.170 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba 2SA1986-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • 2,62 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SA1986-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,727 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • 4,29 €
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • 14,65 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • 8,47 €Stück
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • 2,96 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba Schaltdiode Serie 2 Element/Chip SMD SMini 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • 0,076 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Schaltdiode Serie 2 Element/Chip SMD SMini 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • DiodenkonfigurationSerie
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • GehäusegrößeSMini
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Toshiba 2SK 2SK3564,S5Q(J N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67
  • 1,176 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK 2SK3564,S5Q(J N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößeSC-67
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • 9,917 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • 3,346 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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