Toshiba

Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 2,22 €Stück
Transistor 2SC5200-R(Q) NPN 230 V 15 A 30 MHz, HFE:55, TO-3PL 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 2,262 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Transistor 2SC5200-O(S1,F,S) NPN 230 V 15 A, HFE:35, TO-3PL 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,518 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • 2,41 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Transistor TTC5200(Q) NPN 230 V 15 A 30 MHz, HFE:35, 2-21F1A 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-230 V
  • Gehäusegröße2-21F1A
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 2,82 €Stück
Transistor 2SA1943-O(Q) PNP 230 V 15 A 30 MHz, HFE:35, TO-3PL 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 2,068 €
    Stück (In einer Stange von 100)
Transistor 2SA1943-O(Q) PNP 230 V 15 A 30 MHz, HFE:35, TO-3PL 3-Pin Einfach
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,30 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • 1,21 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • 2,82 €Stück
  • 0,55 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • 0,682 €
    Stück (In einer VPE à 5)
U-MOSIII TPCA8107-H(TE12L,Q,M) P-Kanal MOSFET, 40 V / 7,5 A, 2,8 W, SOP erweitert 8-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.7,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.40 V
  • Drain-Source-Widerstand max.30 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,81 €Stück
  • 7,46 €Stück
Audio Verstärker TB2931HQ(O), Leistungsverstärker HZIP 49 W @ 4 Ω 25-Pin +85 °C
  • Verstärker-TypLeistungsverstärker
  • Leistung max.49 W @ 4 Ω
  • AnwendungCar Audio
  • Montage-TypDurchsteckmontage
  • Anzahl der Kanäle pro Chip4
Vergleichbare Produkte in "Audio Verstärker ICs"
  • 0,634 €
    Stück (In einer VPE à 10)
2SJ668(TE16L,NQ) P-Kanal MOSFET, 60 V / 5 A, 20 W, PW Form 3-Pin
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • Drain-Source-Widerstand max.170 mΩ
  • Gate-Schwellenspannung max.2V
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,92 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Motor Driver IC TB6559FG(O,8,EL), 2.5A HQFP 18-Pin DC Bürstenmotor Vollbrücke
  • MotortypDC Bürstenmotor
  • AusgangskonfigurationVollbrücke
  • IGBT Collectorstrom max.2.5A
  • Kollektor-Emitter-30 V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Motor-Treiber ICs"
  • 3,086 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • 0,464 €
    Stück (In einer VPE à 25)
CMS06(TE12L,Q,M) Diode, 30V / 2A, M-FLAT 2-Pin
  • Dauer-Durchlassstrom max.2A
  • DiodenkonfigurationEinfach
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Gleichrichterdioden und Schottky Dioden"
  • 0,323 €
    Stück (In einer VPE à 10)
N-Kanal JFET 2SK209-Y(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom1.2 → 3.0mA
  • Drain-Source-Spannung max.10 V
  • Gate-Source Spannung max.-30 V
  • Drain-Gate-Spannung max.-50V
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • 0,132 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • 1,822 €
    Stück (In einer Stange von 50)
N-Kanal IGBT GT15J341, 600 V 15 A 100kHz, TO-220SIS 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.30 W
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
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