Toshiba

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 4,035 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba DTMOSIV TK17A80W,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.17 A
  • Drain-Source-Spannung max.800 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieDTMOSIV
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,176 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK 2SK3564,S5Q(J N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • GehäusegrößeSC-67
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 4,96 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 8,47 €Stück
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,26 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK TK10P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 14,65 €Stück
Toshiba TK TK62N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,29 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba IC Flip-Flop, D-Typ, CMOS, C2MOS, LS-TTL, SSOP, 8-Pin
  • LogikfamilieCMOS
  • LogikfunktionD-Typ
  • Eingangs-TypLS-TTL
  • Ausgangs-TypC2MOS
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Flip-Flop ICs"
  • 2,96 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK TK31E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 1,769 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.20 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.45 W
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 5,03 €Stück
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 0,118 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Inverter Schmitt-Trigger 100 ns @ 2 V, 17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V, SSOP
  • LogikfunktionInverter
  • Eingangs-TypSchmitt-Trigger
  • Anzahl der Elemente pro Chip1
  • Schmitt-Trigger-EingangJa
  • Signalverzögerungszeit @ max. CL17 ns @ 6 V, 20 ns @ 4.5 V, 100 ns @ 2 V
Vergleichbare Produkte in "Inverter"
  • 0,118 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba Logikgatter Schieberegister VHC SMD 14-Pin TSSOP 1
  • GehäusegrößeTSSOP
  • LogikfunktionSchieberegister
  • LogikfamilieVHC
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente1
Vergleichbare Produkte in "Zähler IC"
  • 4,143 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 9,05 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba TK TK62J60W,S1VQ(O N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,378 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK 2SK3669(Q) N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20000 mW, 3-Pin PW Form
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • GehäusegrößePW Form
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 0,44 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Logikgatter, 4-Elem., XOR, LVX, 4mA, 14-Pin, TSSOP
  • LogikfunktionXOR
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente4
  • GehäusegrößeTSSOP
  • Pinanzahl14
Vergleichbare Produkte in "Logikgatter"
  • 0,20 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SC3325-Y(F) SMD, NPN Transistor 50 V / 500 mA 300 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,887 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK40E10N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 3,20 €Stück
Toshiba 2SC5949-O(Q) THT, NPN Transistor 200 V / 15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung200 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,077 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Kathode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Dauer-Durchlassstrom max.300mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
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