Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2
  • 0,287 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößePW Form2
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • 3,346 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • 8,47 €Stück
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • 2,96 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • 5,545 €
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67
  • 1,148 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.3 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößeSC-67
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba Schaltdiode Serie 2 Element/Chip SMD SMini 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • 0,076 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Schaltdiode Serie 2 Element/Chip SMD SMini 3-Pin Siliziumverbindung 1.2V
  • DiodenkonfigurationSerie
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • GehäusegrößeSMini
  • DiodentechnologieSiliziumverbindung
Vergleichbare Produkte in "Schaltdioden"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • 16,43 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,778 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,7 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9,7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • 9,917 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.62 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SSM3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM
  • 0,374 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SSM3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • SerieSSM3
  • GehäusegrößeUFM
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode , 45V / 100mA, 3-Pin SMini
  • 0,046 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba SMD Schottky Diode , 45V / 100mA, 3-Pin SMini
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSMini
  • Dauer-Durchlassstrom max.100mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch45V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Kathode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • 0,098 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Kathode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Dauer-Durchlassstrom max.300mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • 1,769 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.20 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.45 W
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • 1,496 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN
  • 2,61 €Stück
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SC5949-O(Q) THT, NPN Transistor 200 V / 15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • 3,61 €Stück
Toshiba 2SC5949-O(Q) THT, NPN Transistor 200 V / 15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung200 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20000 mW, 3-Pin PW Form
  • 0,392 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20000 mW, 3-Pin PW Form
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößePW Form
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 5,87 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 4,143 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
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