Toshiba

Diskrete Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba SMD Schottky Diode, 5V / 30mA, 2-Pin SOD-323
  • 0,195 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Schottky Diode, 5V / 30mA, 2-Pin SOD-323
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-323
  • Dauer-Durchlassstrom max.30mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch5V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • 3,003 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 1,431 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • 4,56 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SK 2SK3878(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN
  • 2,855 €
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba 2SK 2SK3878(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 2,12 €
    Stück (In einer VPE à 4)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Anode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • 0,077 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Anode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Dauer-Durchlassstrom max.300mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba 2SC5200N(S1,E,S) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A, TO-3P 3-Pin
  • 2,05 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SC5200N(S1,E,S) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A, TO-3P 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung230 V
  • GehäusegrößeTO-3P
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba 2SA1987-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • 0,944 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SA1987-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 2,889 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.30 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.170 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • 2,862 €
    Stück (In einer Stange von 30)
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
  • 1,002 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.55 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
  • 0,665 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.55 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SK 2SK4017(Q) N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2
  • 0,303 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Toshiba 2SK 2SK4017(Q) N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 5 A 20 W, 3-Pin PW Form2
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößePW Form2
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • 2,22 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,484 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,437 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba TK TK30A06N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba N-Kanal JFET 2SK208-R(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin Einfach
  • 0,13 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba N-Kanal JFET 2SK208-R(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin Einfach
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom0.3 to 0.75mA
  • Drain-Source-Spannung max.10 V
  • Gate-Source Spannung max.-30 V
  • Drain-Gate-Spannung max.-50V
Vergleichbare Produkte in "JFET"
Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 3,60 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.30 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.170 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba 2SA1986-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • 2,62 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SA1986-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
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