Toshiba

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Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • 1,769 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.20 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.45 W
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba SSM3 SSM3J117TU(TE85L) P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM
  • 0,403 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba SSM3 SSM3J117TU(TE85L) P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM
  • Channel-TypP
  • Dauer-Drainstrom max.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeUFM
  • SerieSSM3
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba Monostabiler Multivibrator, HC Monostabiler Kippstufe 2 Anz. Elem./ Chip 5.2mA L Pegel, -5.2mA H Pegel, PDIP,
  • 0,414 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Monostabiler Multivibrator, HC Monostabiler Kippstufe 2 Anz. Elem./ Chip 5.2mA L Pegel, -5.2mA H Pegel, PDIP,
  • LogikfamilieHC
  • LogikfunktionMonostabiler Kippstufe
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • Ausgangsstrom H-Pegel max.-5.2mA
  • Ausgangsstrom L-Pegel max.5.2mA
Vergleichbare Produkte in "Monostabile Kippstufen"
Toshiba 2SK 2SK3669(Q) N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20000 mW, 3-Pin PW Form
  • 0,378 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SK 2SK3669(Q) N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20000 mW, 3-Pin PW Form
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.10 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößePW Form
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba Logikgatter, 4-Elem., NAND, 4000, 4mA, 14-Pin, SOP, 2 Schmitt-Trigger-Eingang
  • 0,333 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba Logikgatter, 4-Elem., NAND, 4000, 4mA, 14-Pin, SOP, 2 Schmitt-Trigger-Eingang
  • LogikfunktionNAND
  • Montage-TypSMD
  • Anzahl der Elemente4
  • Eingänge pro Gatter2
  • Schmitt-Trigger-EingangJa
Vergleichbare Produkte in "Logikgatter"
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Kathode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • 0,077 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Kathode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Dauer-Durchlassstrom max.300mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Kathode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba Inverter HEX, Puffer, Open Drain Hex, SOP
  • 0,178 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Inverter HEX, Puffer, Open Drain Hex, SOP
  • LogikfunktionPuffer
  • Ausgangs-TypOpen Drain
  • Anzahl der Elemente pro Chip6
  • Ausgangsstrom L-Pegel max.5.2mA
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Inverter"
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • 2,25 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.20 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.45 W
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 4,143 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 5,03 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.50 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba Operationsverstärker THT PDIP, 14-Pin
  • 1,648 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Operationsverstärker THT PDIP, 14-Pin
  • Montage-TypTHT
  • GehäusegrößePDIP
  • Stromversorgungs-TypDual, Single
  • Anzahl der Kanäle pro Chip4
  • Pinanzahl14
Vergleichbare Produkte in "Operationsverstärker"
Toshiba TK TK40E10N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • 0,887 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK40E10N1,S1X(S N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 90 A 126 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.90 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SC2713-GR(F) SMD, NPN Transistor 120 V / 100 mA 100 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • 0,16 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SC2713-GR(F) SMD, NPN Transistor 120 V / 100 mA 100 MHz, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung120 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK TK30E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • 0,544 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK30E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 53 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK31A60W,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 3,09 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK TK31A60W,S4VX(M N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.31 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba U-MOSVIII-H TPN30008NH,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON
  • 0,142 €
    Stück (In einer VPE à 20)
Toshiba U-MOSVIII-H TPN30008NH,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 22 A 27 W, 8-Pin TSON
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.22 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTSON
  • SerieU-MOSVIII-H
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 4,06 €Stück
Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.40 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.230 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba TK TK7P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 1,193 €
    Stück (In einer VPE à 8)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK7P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 60 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.7 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba ESD-Schutzdiode Gemeinsame Anode, 3-Pin, SMD USM
  • 0,129 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba ESD-Schutzdiode Gemeinsame Anode, 3-Pin, SMD USM
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeUSM
  • Pinanzahl3
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
Vergleichbare Produkte in "Suppressordioden TVS"
Toshiba RN2102(TE85L,F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin
  • 0,022 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba RN2102(TE85L,F) SMD, PNP Digitaler Transistor 50 V / -100 mA, ESM 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-100 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeESM
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
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