Toshiba

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Beschreibung
Produkt-Details
  • 2,736 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SC5200-O(S1,F,S) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,354 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba IC Flip-Flop, D-Typ, 4000, Differential, Single Ended, Positiv-Flanke, PDIP, 14-Pin
  • Logikfamilie4000
  • LogikfunktionD-Typ
  • Eingangs-TypSingle Ended
  • Ausgangssignal-TypDifferential
  • Trigger-TypPositiv-Flanke
Vergleichbare Produkte in "Flip-Flop ICs"
  • 2,60 €Stück
Toshiba 2SA1943-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 1,823 €
    Stück (In einer Stange von 100)
Toshiba 2SA1943-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,264 €
    Stück (In einer VPE à 10)
  • 1,694 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SA1941-O(Q) THT, PNP Transistor -140 V / -10 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.-10 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung-140 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 3,06 €Stück
Toshiba 2SA1962-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,84 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba Motor Driver IC TB6559FG(O,8,EL), 2.5A, HQFP, 18-Pin, 50 V, DC Bürstenmotor, Vollbrücke
  • MotortypDC Bürstenmotor
  • AusgangskonfigurationVollbrücke
  • IGBT Collectorstrom max.2.5A
  • Versorgungsspannung max.50 V
  • Kollektor-Emitter-Spannung30 V
Vergleichbare Produkte in "Motor-Treiber ICs"
  • 0,132 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SA1015(F) THT, PNP Bipolarer Transistor 50 V / 150 mA, TO-92 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.150 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung50 V
  • GehäusegrößeTO-92
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,347 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba N-Kanal JFET 2SK209-Y(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin Einfach
  • Channel-TypN
  • IDS Drain-Source-Abschaltstrom1.2 to 3.0mA
  • Drain-Source-Spannung max.10 V
  • Gate-Source Spannung max.-30 V
  • Drain-Gate-Spannung max.-50V
Vergleichbare Produkte in "JFET"
  • 0,058 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Diode , 30V / 2A, 2-Pin M-FLAT
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeM-FLAT
  • Dauer-Durchlassstrom max.2A
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch30V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
  • 2,19 €Stück
Toshiba 2SC5198-O(Q) THT, NPN Transistor 140 V / 10 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.10 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung140 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 1,545 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba IGBT / 15 A ±25V max., 600 V 30 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.30 W
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 2,216 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba IGBT / 15 A ±25V max., 600 V 30 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • Verlustleistung max.30 W
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • 2,84 €Stück
Toshiba 2SC5242-O(Q) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung230 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,638 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.0.2 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeSMini
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,72 €
    Stück (In einer VPE à 2)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET Transistor 100 V / 207 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.207 A
  • Drain-Source-Spannung max.100 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220SIS
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • 2,134 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SA1943N(S1,E,S) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A, TO-3P 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3P
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
  • 0,904 €
    Stück (In einer VPE à 5)
  • 5,68 €Stück
Toshiba IGBT / 60 A ±25V max., 600 V, 3-Pin TO-3PLH N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.60 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • GehäusegrößeTO-3PLH
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
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