Toshiba

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NEU
Toshiba Darlington-Paar, PDIP 8-Pin
  • 0,928 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Darlington-Paar, PDIP 8-Pin
  • GehäusegrößePDIP
  • Montage-TypTHT
  • Pinanzahl8
Vergleichbare Produkte in "Darlington Transistoren"
Toshiba IGBT / 60 A ±25V max., 600 V, 3-Pin TO-3PLH N-Kanal
  • 6,53 €Stück
Toshiba IGBT / 60 A ±25V max., 600 V, 3-Pin TO-3PLH N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.60 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±25V
  • GehäusegrößeTO-3PLH
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba 2SK 2SK3700(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN
  • 2,33 €Stück
Toshiba 2SK 2SK3700(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößeTO-3P W, TO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba Motor Driver IC TPD4135K(Q), 3A, PDIP, 26-Pin, BLDC, 3-phasig
  • 11,851 €
    Stück (In einer Stange von 20)
Toshiba Motor Driver IC TPD4135K(Q), 3A, PDIP, 26-Pin, BLDC, 3-phasig
  • MotortypBLDC
  • Ausgangskonfiguration3-phasig
  • IGBT Collectorstrom max.3A
  • Kollektor-Emitter-Spannung18 V
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Motor-Treiber ICs"
Toshiba 2SC5358-O(Q) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • 2,486 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SC5358-O(Q) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung230 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 1,431 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 2,12 €
    Stück (In einer VPE à 4)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK12P60W,RVQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • 3,003 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode, 5V / 30mA, 2-Pin SOD-323
  • 0,195 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Schottky Diode, 5V / 30mA, 2-Pin SOD-323
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-323
  • Dauer-Durchlassstrom max.30mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch5V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • 4,56 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK9J90E N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SK 2SK3878(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN
  • 2,855 €
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba 2SK 2SK3878(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba Power Switch IC Schalter Hochspannungsseite Hochspannungsseite 1.2Ω 40 V max. 8 Ausg.
  • 2,62 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba Power Switch IC Schalter Hochspannungsseite Hochspannungsseite 1.2Ω 40 V max. 8 Ausg.
  • Topologie des NetzschaltersHochspannungsseite
  • Netzschalter-TypSchalter Hochspannungsseite
  • Einschaltwiderstand1.2Ω
  • Arbeitsspannnung max.40 V
  • Anzahl der Ausgänge8
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Anode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • 0,077 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Anode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Dauer-Durchlassstrom max.300mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba 2SC5200N(S1,E,S) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A, TO-3P 3-Pin
  • 2,05 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SC5200N(S1,E,S) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A, TO-3P 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung230 V
  • GehäusegrößeTO-3P
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba 2SA1987-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • 3,274 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SA1987-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
  • 0,665 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.55 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • SerieTK
  • GehäusegrößeTO-220
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK TK49N65W,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 49 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • 10,54 €Stück
Toshiba TK TK49N65W,S1F(S N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 49 A 400 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.49 A
  • Drain-Source-Spannung max.650 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SK 2SK3074(TE12L,F) N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1 A 3 W, 3-Pin SC-62
  • 2,439 €
    Stück (Auf einer Rolle von 1000)
Toshiba 2SK 2SK3074(TE12L,F) N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1 A 3 W, 3-Pin SC-62
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.1 A
  • Drain-Source-Spannung max.30 V
  • GehäusegrößeSC-62
  • Serie2SK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SA1182-Y(TE85L,F) SMD, PNP Transistor –30 V / –500 mA, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • 0,211 €
    Stück (In einer VPE à 50)
Toshiba 2SA1182-Y(TE85L,F) SMD, PNP Transistor –30 V / –500 mA, SOT-346 (SC-59) 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–500 mA
  • Kollektor-Emitter-Spannung–30 V
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • 4,29 €
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK TK20N60W,S1VF(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
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