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Beschreibung
Produkt-Details
Toshiba 2SC5358-O(Q) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • 2,844 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SC5358-O(Q) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung230 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN
  • 2,13 €Stück
Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.5 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößeTO-3P W, TO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Schottky Diode , 5V / 30mA, 2-Pin SOD-323
  • 0,195 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Schottky Diode , 5V / 30mA, 2-Pin SOD-323
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOD-323
  • Dauer-Durchlassstrom max.30mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch5V
  • DiodenkonfigurationEinfach
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • 5,10 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,822 €
    Stück (Auf einer Rolle von 2000)
Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • 3,003 €
    Stück (In einer Stange von 25)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • 0,828 €
    Stück (In einer VPE à 4)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11,5 A 100 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.11,5 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeDPAK (TO-252)
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN
  • 2,855 €
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 150 W, 3-Pin TO-3PN
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.9 A
  • Drain-Source-Spannung max.900 V
  • Serie2SK
  • GehäusegrößeTO-3PN
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Anode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • 0,098 €
    Stück (In einer VPE à 25)
Toshiba SMD Hohe Geschwindigkeit Diode Gemeinsame Anode, 85V / 300mA, 3-Pin SOT-346 (SC-59)
  • Montage-TypSMD
  • GehäusegrößeSOT-346 (SC-59)
  • Dauer-Durchlassstrom max.300mA
  • Spitzen-Sperrspannung periodisch85V
  • DiodenkonfigurationGemeinsame Anode
Vergleichbare Produkte in "Schottky-Dioden und Gleichrichter"
Toshiba 2SA1987-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • 0,92 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SA1987-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PL 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3PL
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba 2SC5200N(S1,E,S) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A, TO-3P 3-Pin
  • 1,926 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SC5200N(S1,E,S) THT, NPN Transistor 230 V / 15 A, TO-3P 3-Pin
  • Transistor-TypNPN
  • DC Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung230 V
  • GehäusegrößeTO-3P
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba Power Switch IC Schalter Hochspannungsseite Hochspannungsseite 1.2Ω 40 V max. 8 Ausg.
  • 2,02 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba Power Switch IC Schalter Hochspannungsseite Hochspannungsseite 1.2Ω 40 V max. 8 Ausg.
  • Topologie des NetzschaltersHochspannungsseite
  • Netzschalter-TypSchalter Hochspannungsseite
  • Einschaltwiderstand1.2Ω
  • Arbeitsspannnung max.40 V
  • Anzahl der Ausgänge8
Vergleichbare Produkte in "Netzschalter-ICs"
Toshiba Monostabiler Multivibrator, 4000 Monostabiler Kippstufe 2 Anz. Elem./ Chip, PDIP, 16-Pin, 20mA-max., 25 ns-min
  • 0,864 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Monostabiler Multivibrator, 4000 Monostabiler Kippstufe 2 Anz. Elem./ Chip, PDIP, 16-Pin, 20mA-max., 25 ns-min
  • Logikfamilie4000
  • LogikfunktionMonostabiler Kippstufe
  • Anzahl der Elemente pro Chip2
  • Pulsweite min.25 ns
  • Signalverzögerungszeit @ max. CL760 ns @ 5 V
Vergleichbare Produkte in "Monostabile Kippstufen"
Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • 4,22 €Stück
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
  • Dauer-Kollektorstrom max.30 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.170 W
  • GehäusegrößeTO-3P
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
  • 0,38 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.55 A
  • Drain-Source-Spannung max.80 V
  • GehäusegrößeTO-220
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • 4,81 €
    Stück (In einer VPE à 2)
  • Auch in Produktionsverpackung verfügbar
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 165 W, 3-Pin TO-247
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.20 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,437 €
    Stück (In einer VPE à 10)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 43 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.43 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba 2SA1986-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • 2,90 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba 2SA1986-O(Q) THT, PNP Transistor –230 V / –15 A 30 MHz, TO-3PN 3-Pin
  • Transistor-TypPNP
  • DC Kollektorstrom max.–15 A
  • Kollektor-Emitter-Spannung–230 V
  • GehäusegrößeTO-3PN
  • Montage-TypTHT
Vergleichbare Produkte in "Bipolare Transistoren"
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • 0,484 €
    Stück (In einer Stange von 50)
Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220SIS
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.30 A
  • Drain-Source-Spannung max.60 V
  • GehäusegrößeTO-220SIS
  • SerieTK
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
Toshiba Inverter Schmitt-Trigger Triple 125 ns @ 2 V, 21 ns @ 6 V, 25 ns @ 4.5 V, SSOP
  • 0,092 €
    Stück (In einer VPE à 5)
Toshiba Inverter Schmitt-Trigger Triple 125 ns @ 2 V, 21 ns @ 6 V, 25 ns @ 4.5 V, SSOP
  • LogikfunktionInverter
  • Eingangs-TypSchmitt-Trigger
  • Anzahl der Elemente pro Chip3
  • Schmitt-Trigger-EingangJa
  • Signalverzögerungszeit @ max. CL21 ns @ 6 V, 25 ns @ 4.5 V, 125 ns @ 2 V
Vergleichbare Produkte in "Inverter"
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